2009年1月9日，中共中央、国务院在北京隆重举行国家科学技术奖励大会。党和国家领导人胡锦涛、温家宝等出席大会并为获奖代表颁奖。大会向获得2008年度国家科学技术奖的人选和项目颁布了奖励证书。其中，由公安部第一研究所、大唐微电子技术有限公司等八家单位联合申报的《第二代居民身份证系统》项目荣获2008年度国家科学技术进步奖一等奖。
国家科学技术进步奖是代表我国科技发展水平的最高奖项。获奖者均为在当代科技领域取得重大突破、在应用推广先进科学技术做出突出贡献、在科技创新和科技成果转化中创造了突出的经济或社会效益的企业和项目。此次《第二代居民身份证系统》项目获得国家科学技术进步奖一等奖，标志着大唐微电子参与的二代证芯片产品的开发和生产达到国内先进水平，同时标志着中国自主知识产权的射频识别（RFID）技术及其产业化能力已达到国际先进水平。
作为中国第二代居民身份证芯片设计与模块供应的主要厂家之一，大唐微电子在积极为政府提供安全可靠的身份证芯片的同时，在非接触射频技术的基础上，自主研发了“DMT-CTLS”系列芯片，并提供与之配套的SAM模块，构成完整的安全芯片解决方案，为社会保障、信息安全、特种安全等其他行业提供身份识别类证卡芯片及配套的安全模块。
业内专家表示，此次获奖是大唐微电子多年来自主创新技术的积累，充分展示了大唐微电子在集成电路设计领域的强大自主研发能力和快速产业化能力。
近年来，大唐微电子一直以先进的技术、优质的产品和良好的客户服务支持国家第二代居民身份证的换发工作，获得了相关部门和客户的一致好评。面向未来，大唐微电子将以荣获国家科技进步一等奖为契机，以不断提升集成电路设计和生产水平为己任，持续推动企业跨越式发展，实现“世界一流集成电路企业”的战略目标！
